Pressemitteilung
Der weltweit größte Hersteller von 8-Zoll-GaN-on-Si-FETs eröffnet Standorte in den USA und Europa und bietet niedrigste Preise sowie hohe Verfügbarkeit
„Wir sind bereit, die in der Branche benötigte Versorgungssicherheit zu garantieren", verspricht Jay Son, CEO von Innoscience
18. Januar 2022 -Innoscience Technology,gegründet, um ein weltweites Energie-Ökosystem zu schaffen, das auf hochleistungsfähiger, kostengünstiger Galliumnitrid-auf-Silizium-(GaN-on-Si-)Leistungselektronik basiert, hat neue Niederlassungen in den USA und Europa eröffnet. Innoscience mit Hauptsitz in Suzhou, China, ist nun in der Lage, Kunden über die neuen Design-Service- und Vertriebsbüros in Santa Clara, Kalifornien, und Leuven, Belgien, zu unterstützen.
Innoscience wurde im Dezember 2015 gegründet und ist bereits der größte Chiphersteller, der sich vollständig der GaN-Technologie widmet. Das Unternehmen verfügt über zwei Wafer-Fabs, darunter den weltweit größten 8-Zoll-GaN-on-Si-Standort, der mit den neuesten, fortschrittlichen Fertigungsanlagen für hohen Durchsatz ausgestattet ist. Derzeit verfügt Innoscience über eine Kapazität von 10.000 8-Zoll-Wafern pro Monat, die im Laufe dieses Jahres auf 14.000 pro Monat und bis 2025 auf 70.000 pro Monat hochgefahren wird. Das Unternehmen bietet ein breites Angebot an Bauelementen von 30 bis 650 V und hat bereits mehr als 35 Mio. Bauteile für Anwendungen wie USB-PD-Ladegeräte/Adapter, Rechenzentren, Mobiltelefone und LED-Treiber ausgeliefert.
Innoscience produziert hochleistungsfähige, selbstsperrende (Normally-Off) e-mode-GaN-FETs. Durch die Einführung eines Stress-Enhancement-Layers wurde der Durchlasswiderstand RDS(on)deutlich reduziert, ohne andere Parameter wie Schwellenspannung und Leckage zu beeinträchtigen. Sowohl die Epitaxie als auch die Verarbeitung der Bauelemente wurden optimiert, um eine hohe Reproduzierbarkeit und Ausbeute zu erzielen. Die Bauteile haben Qualitäts- und Zuverlässigkeitstests gemäß JEDEC bestanden.
Dr. Denis Marcon, General Manager bei Innoscience Europe, dazu:„Die Zeit ist reif für GaN, und wir sind bereit, die Branche zu beliefern. Wir wollen den Wettbewerb preislich für gleichwertige Bauelemente übertreffen, und unsere enorme Fertigungskapazität gibt unseren Kunden die Gewissheit, dass eine sichere Versorgung garantiert ist - was angesichts der derzeitigen Chipknappheit an oberster Stelle steht. Wir freuen uns darauf, mit jedem Unternehmen zusammenzuarbeiten, um GaN in der weltweiten Elektronikbranche weiter zu etablieren."
Yi Sun, General Manager bei Innoscience USA, fügte hinzu: „Dies ist eine spannende Zeit für unsere Kunden, die von unserem Anwendungs-Demoboard profitieren können. Über die neue Niederlassung können wir unsere Kunden in den USA und speziell rund um das Silicon Valley viel besser unterstützen."
Es wird erwartet, dass beide Innoscience-Niederlassungen in den kommenden Monaten und Jahren schnell expandieren werden, um den aufstrebenden Markt für GaN-on-Si in Europa und den USA strategisch zu unterstützen.
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Über Innoscience
Innoscience ist ein im Dezember 2015 gegründeter Chiphersteller (IDM - Integrated Device Manufacturer). Zu den Hauptinvestoren zählen CMBI, ARM, SK und CATL. Mit der Entwicklung neuer Technologien durchlaufen die Bereiche Stromversorgung und Leistungselektronik weltweit einen massiven Wandel. Unsere Vision ist es, ein Energie-Ökosystem mit den effektivsten und kostengünstigsten Galliumnitrid-auf-Silizium-(GaN-on-Si-)Leistungselektronik-Lösungen zu schaffen. Im November 2017 hat Innoscience in Zhuhai erstmals eine 8-Zoll-Waferlinie für die Serienfertigung von GaN-on-Si-Bauelementen eingerichtet. Um den schnell wachsenden Bedarf an Leistungselektronik zu decken, hat Innoscience im September 2020 eine neue Anlage in Suzhou eingeweiht. Als Anbieter hochmoderner GaN-Technologie widmen sich die über 1400 Mitarbeiter und mehr als 300 F&E-Experten von Innoscience der Bereitstellung leistungsstarker und zuverlässiger GaN-Bauelemente, die in zahlreichen Anwendungen wie Cloud-Computing, Elektrofahrzeugen (EV) und Automotive, tragbaren Geräten, Ladegeräten und Adaptern für Mobiltelefone zum Einsatz kommen. Weitere Informationen unterhttp://www.innoscience.com.
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Benoit Simoneau, 514 Media
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