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January
2022.
Le plus grand producteur mondial de FET GaN-on-Si sur tranches 8 pouces...

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Communiqué de Presse

 

Le plus grand producteur mondial de FET GaN-on-Si sur tranches 8 pouces, ouvre des sites aux États-Unis et en Europe, en proposant des prix record et une large disponibilité

 

« Nous sommes prêts à assurer la sécurité d'approvisionnement dont a besoin l'industrie, » déclare Jay Son, Président Exécutif d'Innoscience

 

18 janvier 2022 -Innoscience Technology, entreprise fondéepour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance GaN-on-Si (nitrure de gallium sur silicium) à hautes performances et à faible coût, a annoncé aujourd'hui le lancement officiel de ses activités internationales aux États-Unis et en Europe. Basée à Suzhou, en Chine, Innoscience est désormais prête à soutenir ses clients grâce à de nouvelles installations de conception et de support commercial, situées à Santa Clara, en Californie, et à Louvain, en Belgique.

 

Fondée endécembre2015, Innoscience est déjà le plus grand fabricant de composants intégrés spécialisé dans la technologie GaN. La société dispose de deux unités de production de wafers, dont le plus grand site au monde dédié au GaN-on-Si sur tranches 8 pouces (200 mm), qui est doté des tout derniers équipements de fabrication avancés à haute cadence. La société dispose actuellement d'une capacité de 10 000 wafers 8 pouces par mois, qui passera à 14 000 wafers 8 pouces par mois dans le courant de l'année, et à 70 000 wafers 8 pouces par mois d'ici 2025. La société propose un large portefeuille de dispositifs de 30 à 650 V et a déjà livré plus de 35 millions de composants pour des applications telles que des chargeurs/adaptateurs USB PD, des centres de données, des téléphones mobiles et des drivers de LED.

 

Innoscience produit des FET GaN hautes performances à l'état coupé au repos. En introduisant une couche de résistance aux contraintes, la société a réduit de manière significative la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) sans affecter les autres paramètres, comme la tension de seuil ou les fuites. L'épitaxie et le traitement des dispositifs ont été optimisés pour assurer une reproductibilité et un rendement élevés. Les composants ont passé des tests de qualité et de fiabilité allant au-delà des normes JEDEC.

 

Dr Denis Marcon, Directeur Général d'Innoscience Europe, commente : « L'heure du GaN est venue, et Innoscience est prêt à fournir le monde entier.Nous saurons faire mieux que tous nos concurrents en termes de prix à dispositif équivalent, et notre énorme capacité de production garantit une sécurité d'approvisionnement à nos clients, ce qui est un point très important pour eux, compte tenu de la pénurie de puces qui sévit en ce moment.Nous sommes impatients de coopérer avec toutes les entreprises pour faire proliférer le GaN au sein de l'industrie électronique mondiale. »

 

Yi Sun, Directeur Général d'Innoscience USA, explique : « C'est un moment passionnant pour nos clients, qui peuvent profiter de la compréhension des applications et des cartes de démonstration d'Innoscience pour développer des solutions uniques.Cela nous permettra de mieux soutenir nos clients aux États-Unis, et en particulier dans la région de la baie de San Francisco. »

 

Les deux bureaux d'Innoscience devraient connaître une expansion rapide dans les mois et années à venir, afin de fournir un soutien stratégique au marché florissant des solutions de puissance GaN-on-Si en Europe et aux États-Unis.

 - Fin -

 

À propos d'Innoscience

Innoscience est un fabricant de dispositifs intégrés (IDM) fondé en décembre 2015 avec comme principaux investisseurs : CMBI, ARM, SK et CATL. Avec le développement des nouvelles technologies, le réseau électrique et les systèmes électroniques de puissance connaissent d'importantes transformations dans le monde entier. Notre vision est de créer un écosystème énergétique s'appuyant sur les solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) les plus efficaces et les plus économiques. En novembre 2017, Innoscience a établi une première ligne de production en grande série de wafers 8 pouces pour dispositifs GaN-on-Si à Zhuhai. Afin de répondre à la demande croissante du marché, Innoscience a inauguré une nouvelle installation à Suzhou en septembre 2020. En tant que fournisseur de technologie GaN de pointe, les plus de 1 400 employés et plus de 300 experts en R&D d'Innoscience se consacrent à la fourniture de dispositifs de puissance GaN à hautes performances et haute fiabilité, qui peuvent être largement utilisés dans différentes applications, notamment l'informatique cloud, les véhicules électriques (VE) et l'automobile en général, les appareils portables, les téléphones, ainsi que les chargeurs et adaptateurs. Pour plus d'informations, rendez-vous surhttp://www.innoscience.com.

 

Contact pour la presse: 

Peter Rogerson, Innoscience

peterrogerson@innoscience.com

+1 408-502-4626

 

Benoit Simoneau, 514 Media

benoit@514-media.com

+44 (0) 7891 920 370

 

Réf : INS011A