EPC und Microchip stellen ein Demo-Board mit 300W, 1/16 Brick, 48-12V DC/DC-Wandler für High-Density Computing und Rechenzentren vor
Kombination der digitalen Signalcontroller von Microchip Technology mit hocheffizienten eGaN®-FETs von EPC (Efficient Power Conversion) ermöglicht höchste Leistungsdichte von 730 W/in3für eine hocheffiziente und kostengünstige DC/DC-Wandlung.
EL SEGUNDO, Kalifornien — 15. Juli 2020—EPCstellt mit demEPC9143einen 300W-DC/DC-Spannungsregler im 1/16-Brick-Format vor. Das Power Modul enthält den digitalen Signalcontroller (DSC)dsPIC33CKvon Microchip sowie die neuesten eGaN-FETsEPC2053von EPC und erzielt 96% Wirkungsgrad bei einem 48V-Eingang und 12V-Ausgang mit 25 A. Die Schaltfrequenz von 500 kHz ermöglicht 300 W Leistung im kleinen 1/16-Brick-Format mit 33 mm x 22,9 mm (1,3 x 0,9 Zoll). Zum skalierbaren 2-Phasen-Design lassen sich zusätzliche Phasen hinzufügen, um die Leistung weiter zu erhöhen. Die Flexibilität der Microchip-DSCs ermöglicht es, die Eingangsspannung von 8 bis 72 V und die Ausgangsspannung von 3,3 bis 25 V einzustellen.
Brick-DC/DC-Wandler kommen häufig inRechenzentren, Telekommunikations- undAutomotive-Anwendungen zum Einsatz und wandeln neben anderen Ausgangsspannungen eine 48V-Nennspannung für einen 12V-Verteilerbus um. Der Trend geht zu einer höheren Leistungsdichte, da der Formfaktor festgelegt ist. Eine Hauptanwendung sind 48/12V-Point-of-Load-(POL-)Wandler mit hoher Dichte, bei denen eine geregelte 12V-Ausgangsspannung erforderlich ist, wie sie für Standard-PCIe-Karten und Massenspeicher verwendet wird.
eGaN®-FETs und -ICsbieten schnelles Schalten, geringe Baugrößen und niedrige Kosten, um die strengen Anforderungen an die Leistungsdichte dieser modernen, kostenoptimierten Anwendungen mit geringer Bauteilanzahl erfüllen zu können.
„Fortschrittliche Rechenanwendungen stellen immer höhere Anforderungen an die Leistungswandler, und die siliziumbasierte Stromumwandlung kann dabei nicht mithalten", erklärte Alex Lidow, CEO von EPC. „Wir freuen uns, mit Microchip, einem führenden Anbieter auf diesem Gebiet, zusammenzuarbeiten, um eine flexible Lösung für einen höheren Wirkungsgrad, mehr Leistungsdichte und geringere Systemkosten für die 48V-Leistungswandlung bereitzustellen."
„Die dsPIC®-DSCs von Microchip lassen sich so programmieren, dass sie die hohe Leistungsfähigkeit von GaN-FETs voll ausnutzen", so Joe Thomsen, Vice President der MCU16 Business Unit bei Microchip. „Wir schätzen die Zusammenarbeit mit EPC, um unseren Kunden dieses GaN-basierte Referenzdesign zur Verfügung zu stellen. Die Kombination aus der GaN-Technologie von EPC und unserer dsPIC33CK-Controller bietet Entwicklern die Möglichkeit, die Leistungsdichte deutlich zu erhöhen, um den hohen Anforderungen moderner Rechen- und Telekommunikationsanwendungen gerecht zu werden."
Preis und Verfügbarkeit
DasEPC9143Demo-Board kostet 378 US-$ und steht ab sofort über Digi-Key zur Verfügung:http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
Über EPC
EPC ist Marktführer bei Power-Management-Bausteinen auf Basis von Galliumnitrid im Enhancement-Modus. EPC war der erste Hersteller, der Galliumnitrid-Silizium-(eGaN®-)FETs als Power-MOSFET-Ersatz in Anwendungen wie DC-DC-Wandlern, der drahtlosen Leitungsübertragung, Hüllkurvenverfolgung, der RF-Übertragung, in Leistungs-Wechselrichtern, der LIDAR-Fernerkundungstechnologie und Class-D- Audioverstärkern mit einer Leistung der Bausteine einführte, die um ein Vielfaches höher ist als die der besten Silizium-Leistungs-MOSFETs. EPC verfügt außerdem über ein wachsendes Portfolio an eGaN-basierten integrierten Schaltungen, die noch mehr Platz, Energie und Kosteneffizienz bieten.
Besuchen Sie unsere Website: www.epc-co.com.
eGaN ist ein eingetragenes Warenzeichen der Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
Press contact:Efficient Power Conversion: Renee Yawger tel: 908.475.5702 email:renee.yawger@epc-co.com
Europe contact: June Hulme, Gemini Marketing,: tel;: 01270 872315, email: junehulme@geminimarketing.co.uk