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5.
March
2020.
CISSOID announces 3-Phase SiC MOSFET Intelligent Power Module for E-mobility

 

PRESSEMITTEILUNG


CISSOID stellt intelligentes 3-Phasen-SiC-MOSFET-Leistungselektronikmodul
für die Elektromobilität vor

Mont-Saint-Guibert, Belgien - 5. März 2020 -CISSOID,Hersteller von Hochtemperatur-Halbleiterbauelementen für anspruchsvolle Märkte, stellt ein 3-Phasen-SiC-MOSFET-IPM (Intelligent Power Module) für die Elektromobilität vor. Das neue Leistungsmodul stellt eine Komplettlösung mit einem wassergekühlten 3-Phasen-SiC-MOSFET-Modul mit integrierten Gate-Treibern dar.

Die neue skalierbare Plattform optimiert das elektrische, mechanische und thermische Design der Leistungsschalter und deren Näherungssteuerung und verkürzt die Markteinführung für Hersteller von Elektroautos (EV) und Elektromotoren, die bereit sind, SiC-basierte Wechselrichter für effizientere und kompaktere Motorantriebe einzusetzen. Mit diesem SiC-basierten IPM konzentriert sich CISSOID weiterhin auf die Herausforderungen, die in den Märkten Automotive und Industrie zu meistern sind.


 Das erste Produkt dieser skalierbaren Plattform, ein 3-Phasen-SiC-MOSFET-IPM mit 1200V/450A, zeigt geringe Leitungsverluste mit einem Einschaltwiderstand von 3,25 mΩ und geringe Schaltverluste mit einer Ein-/Ausschaltleistung von 8,3 bzw. 11,2 mJ bei 600V/300A auf. Im Vergleich zu modernen IGBT-Leistungsmodulen reduziert das neue IPM die Verluste mindestens um das dreifache. Das neue Modul wird über eine leichtgewichtige AlSiC-Pin-Fin-Baseplate wassergekühlt, um einen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlflüssigkeit von 0,15 °C/W zu ermöglichen. Das Leistungsmodul ist für Sperrschichttemperaturen bis 175 °C und Isolationsspannungen bis zu 3600 V (50 Hz, 1 min) ausgelegt.

 Der integrierte Gate-Treiber enthält drei isolierte Stromversorgungen (eine pro Phase), die jeweils bis zu 5 W Leistung pro Phase liefern, sodass sich das Leistungsmodul problemlos mit bis zu 25 kHz und bei Umgebungstemperaturen bis zu 125 °C betreiben lässt. Der Gate-Spitzenstrom von bis zu 10 A und eine Störfestigkeit gegen hohe dV/dt (>50 kV/µs) ermöglichen das schnelle Schalten des Leistungsmoduls und die geringen Schaltverluste. Schutzfunktionen wie Undervoltage Lockout (UVLO), Active Miller Clamping (AMC), Entsättigungserkennungund Soft-Shut-Down (SSD) gewährleisten die sichere Ansteuerung und den zuverlässigen Schutz des Leistungsmoduls im Fehlerfall.

 „Das Entwickeln und Optimieren schnell schaltender SiC-Leistungsmodule und deren zuverlässige Ansteuerung bleibt eine Herausforderung", so Dave Hutton, CEO bei CISSOID. „Mit diesen neuen intelligenten SiC-Leistungsmodulen, die das Ergebnis jahrelanger Entwicklung von Leistungsmodulen und Gate-Treibern zusammen mit führenden Unternehmen in den Bereichen Automotive und Transportwesen sind, freuen wir uns, unsere ersten IPM-Muster an frühe SiC-Anwender zu liefern und die Automotive-Branche beim Übergang auf effiziente E-Mobilitätslösungen zu unterstützen."

Weitere Informationen unterhttp://www.cissoid.com/new-products/

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Anmerkung für Redaktionen:

 Über Cissoid -www.cissoid.com

CISSOID bietet Hochtemperatur-Halbleiterbauelemente für anspruchsvolle Märkte. Mit Fokus auf den Automotive-Markt liefern wir Lösungen für eine effiziente Leistungswandlung und kompakte Antriebssteuerungen, u.a. High-Voltage-Gate-Treiber für SiC- und GaN-Transistoren, Leistungsmodule mit niedrigen Induktivitäten und verbesserter Thermal Performance sowie Automotive-taugliche Bauelemente, die für einen Einsatz über 175 °C ausgelegt sind, was die AEC-Q100-Qualifikationsstandards übertrifft. Für die Märkte Luftfahrt, Industrie, Öl- und Gasförderung bieten wir Lösungen für raue Umgebungsbedingungen, Antriebssteuerungen, Timing und Stromversorgungen, die einen zuverlässigen Betrieb von -55 bis +225 °C ermöglichen.


Pressekontakt:
Pierre Delatte
E-Mail:pierre.delatte@cissoid.com
Tel. : +32 10 48 92 11