Lidar-Demo-Board steuert Laser mit Strömen bis 220 A und
Pulsen unter 3 ns mit eGaN®FETs an
Die auf dem EPC9150 befindlichen schnellen eGaN-FETs EPC2034C ermöglichen Hochstromimpulse bis 220 A und Pulsbreiten unter 3 ns. Lidar-Systeme können damit weiter, schneller und besser erfassen.
EL SEGUNDO, Kalifornien— März 2021— Efficient Power Conversion (EPC)stellt mit demEPC9150ein 200V-Hochstrom-Demo-Board zur Ansteuerung gepulster Laserdioden vor. In einemLidar-System, das 3D-Tiefenkarten für autonome Fahrzeuganwendungen erstellt, ist die Geschwindigkeit und Genauigkeit der Objekterkennung entscheidend. Dieses Board demonstriert, wie die schnellen eGaN-FETsEPC2034CLeistungsimpulse zur Ansteuerung von Laserdioden, VCSELs oder LEDs bis zu zehnmal schneller als ein äquivalenter MOSFET bereitstellen - und das bei bzw. zu einem Bruchteil der Fläche, Energie und Kosten. Dies verbessert die Gesamtleistungsfähigkeit, einschließlich Genauigkeit, Präzision und Verarbeitungsgeschwindigkeit sowie den Preis von Lidar-Systemen.
eGaN®-FETs/-ICs liefern die Hochstromimpulse, extrem schmalen Impulsbreiten und die geringe Baugröße, die erschwingliche Hochleistungs-Lidar-Systeme ermöglichen. Mit dem nur 12 mm2kleinen 200V-eGaN-FETEPC2034Ckann das Board EPC9150 eine 220A-Laserpulsspitze mit einer Pulsbreite von nur 2,9 ns erzeugen. Der hohe Strom vergrößert die Reichweite des Lidar-Systems, während die kurze Impulsbreite zu einer höheren Auflösung führt. Aufgrund der geringen Größe und der niedrigen Kosten eignen sich eGaN-FETs/-ICs ideal für Lidar-Anwendungen in den BereichenAutomotive, Industrierobotik und Sicherheit.
DasEPC9150wird mit einem Interposer-Board geliefert, das eine Sammlung abbrechbarer, quadratischer 5mm x 5mm Interposer-Boards mit Platz zur Aufnahme verschiedener Laser, HF-Steckverbinder und anderer Größen umfasst, die zum Experimentieren mit verschiedenen Lasten ausgelegt sind. Mit diesen Interposern lassen sich verschiedene Laser oder andere Lasten testen, sodass Nutzer die Leistungsfähigkeit entsprechend den jeweiligen Anforderungen evaluieren können.
Preis und Verfügbarkeit
Das Demo-BoardEPC9150kostet 414 US-$.
Alle hier erwähnten Produkte sind über Digi-Key erhältlich:http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
Über EPC
EPC ist Marktführer bei Power-Management-Bausteinen auf Basis von Galliumnitrid im Enhancement-Modus. EPC war der erste Hersteller, der Galliumnitrid-Silizium-(eGaN®-)FETs als Power-MOSFET-Ersatz in Anwendungen wie DC-DC-Wandlern, der drahtlosen Leitungsübertragung, Hüllkurvenverfolgung, der RF-Übertragung, in Leistungs-Wechselrichtern, der LIDAR-Fernerkundungstechnologie und Class-D- Audioverstärkern mit einer Leistung der Bausteine einführte, die um ein Vielfaches höher ist als die der besten Silizium-Leistungs-MOSFETs. EPC verfügt außerdem über ein wachsendes Portfolio an eGaN-basierten integrierten Schaltungen, die noch mehr Platz, Energie und Kosteneffizienz bieten.
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eGaN ist ein eingetragenes Warenzeichen der Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
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